三星与ASML扩大战略合作押注高NA EUV与12英寸光掩模

据光刻机巨头阿斯麦官网，Samsung Electronics与ASML宣布扩大战略合作，将在高数值孔径EUV光刻及先进半导体制造领域深化协作。Samsung将加入行业倡议，共同推进用于High NA EUV的下一代12英寸光掩模平台，从传统6英寸升级以提升晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本并消除拼接限制。依托在存储器和晶圆代工的经验，Samsung将与产业伙伴开发相关光掩模技术及基础设施，并计划在2028年前首次将ASML High NA EUV引入DRAM大规模量产，以延展DRAM制程路线并简化工艺、提高生产效率。